韓媒稱韓國、新加坡科學(xué)家發(fā)明出提高芯片產(chǎn)量新技術(shù)
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導(dǎo)讀：韓國機械與材料研究院 (KIMM) 和新加坡南洋理工大學(xué) (NTU Singapore) 科學(xué)家研發(fā)的韓媒技術(shù)發(fā)表在《ACS Nano》雜志上，報告中指出，稱韓產(chǎn)量與目前市場上的國新合肥高端美女上門外圍上門外圍女（電話微信156-8194-*7106）提供全球及一二線城市兼職美女上門外圍上門外圍女芯片相比，新研發(fā)的加坡半導(dǎo)體性能有所提高，新方法制作速度快，科學(xué)芯片成品率高。明出
韓國機械與材料研究院 (KIMM) 和新加坡南洋理工大學(xué) (NTU Singapore) 的提高科學(xué)家們開發(fā)了一種制造高度均勻和可擴展的半導(dǎo)體晶圓的技術(shù)。
▲ 圖源：businesskorea
據(jù)韓媒 businesskorea 報道，芯片新技在智能手機和電腦中常用的韓媒合肥高端美女上門外圍上門外圍女（電話微信156-8194-*7106）提供全球及一二線城市兼職美女上門外圍上門外圍女半導(dǎo)體芯片制造難度大且復(fù)雜，需要高度先進(jìn)的稱韓產(chǎn)量機器和特殊的環(huán)境。它們的國新制造通常在硅片上完成，然后切成用于設(shè)備的加坡小芯片。然而這個過程并不完善，科學(xué)并非所有來自同一晶圓的明出芯片都能按預(yù)期工作或運行。這些有缺陷的提高芯片被丟棄，降低了半導(dǎo)體產(chǎn)量，同時增加了生產(chǎn)成本。
因此以所需厚度生產(chǎn)均勻晶圓的能力是確保在同一晶圓上制造的每個芯片正確運行的最重要因素。
據(jù)悉，基于納米轉(zhuǎn)移的印刷即一種使用聚合物模具通過壓力或“沖壓”將金屬打印到基材上的工藝，在近年來因其簡單、相對成本效益高和高通量而成為一種有前途的技術(shù)。然而該技術(shù)使用的一種化學(xué)粘合劑層會造成負(fù)面影響，例如大規(guī)模印刷時的表面缺陷和性能退化，以及對人類健康的危害。由于這些原因，該技術(shù)的大規(guī)模采用以及由此產(chǎn)生的芯片在設(shè)備中的應(yīng)用受到了限制。
韓國機械與材料研究院 (KIMM) 和新加坡南洋理工大學(xué) (NTU Singapore) 科學(xué)家研發(fā)的技術(shù)發(fā)表在《ACS Nano》雜志上，他們在報告中指出，他們的無化學(xué)物質(zhì)印刷技術(shù)，當(dāng)與金屬輔助化學(xué)蝕刻相結(jié)合時就可以得到具有高度均勻性和可伸縮性的納米線的半導(dǎo)體晶圓。與目前市場上的芯片相比，該半導(dǎo)體的性能也有所提高。此外，該方法制作速度快，芯片成品率高。
韓國機械與材料研究院 (KIMM) 和新加坡南洋理工大學(xué) (NTU Singapore) 的提高科學(xué)家們開發(fā)了一種制造高度均勻和可擴展的半導(dǎo)體晶圓的技術(shù)。
▲ 圖源：businesskorea
據(jù)韓媒 businesskorea 報道，芯片新技在智能手機和電腦中常用的韓媒合肥高端美女上門外圍上門外圍女（電話微信156-8194-*7106）提供全球及一二線城市兼職美女上門外圍上門外圍女半導(dǎo)體芯片制造難度大且復(fù)雜，需要高度先進(jìn)的稱韓產(chǎn)量機器和特殊的環(huán)境。它們的國新制造通常在硅片上完成，然后切成用于設(shè)備的加坡小芯片。然而這個過程并不完善，科學(xué)并非所有來自同一晶圓的明出芯片都能按預(yù)期工作或運行。這些有缺陷的提高芯片被丟棄，降低了半導(dǎo)體產(chǎn)量，同時增加了生產(chǎn)成本。
因此以所需厚度生產(chǎn)均勻晶圓的能力是確保在同一晶圓上制造的每個芯片正確運行的最重要因素。
據(jù)悉，基于納米轉(zhuǎn)移的印刷即一種使用聚合物模具通過壓力或“沖壓”將金屬打印到基材上的工藝，在近年來因其簡單、相對成本效益高和高通量而成為一種有前途的技術(shù)。然而該技術(shù)使用的一種化學(xué)粘合劑層會造成負(fù)面影響，例如大規(guī)模印刷時的表面缺陷和性能退化，以及對人類健康的危害。由于這些原因，該技術(shù)的大規(guī)模采用以及由此產(chǎn)生的芯片在設(shè)備中的應(yīng)用受到了限制。
韓國機械與材料研究院 (KIMM) 和新加坡南洋理工大學(xué) (NTU Singapore) 科學(xué)家研發(fā)的技術(shù)發(fā)表在《ACS Nano》雜志上，他們在報告中指出，他們的無化學(xué)物質(zhì)印刷技術(shù)，當(dāng)與金屬輔助化學(xué)蝕刻相結(jié)合時就可以得到具有高度均勻性和可伸縮性的納米線的半導(dǎo)體晶圓。與目前市場上的芯片相比，該半導(dǎo)體的性能也有所提高。此外，該方法制作速度快，芯片成品率高。