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在最新舉辦的臺積體管國際電子元件會議 (IEDM) 中，芯片制造商臺積電提供了該公司 1 萬億個晶體管的電計芯片封裝路線，這種封裝方式是劃年廣州外圍模特經(jīng)紀(jì)人（外圍預(yù)約）外圍女（電話微信156-8194-*7106）一二線城市可以真實(shí)可靠快速安排在芯片上使用 3D 封裝小芯片集成，不過臺積電也透露了正在致力于開發(fā)在單片硅上包含 2000 億個晶體管的實(shí)現(xiàn)芯片。 為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，工個晶臺積電重申正在致力于 2 納米級的封裝 N2 和 N2P 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)以及 1.4 納米級的 A14 和 1 納米級的 A10 制造工藝，其中 N2 和 N2P 工藝預(yù)計在 2025~2026 年實(shí)現(xiàn)，超過A14 工藝預(yù)計在 2027~208 年實(shí)現(xiàn)，億網(wǎng)A10 工藝則要到 2030 年實(shí)現(xiàn)。藍(lán)點(diǎn)廣州外圍模特經(jīng)紀(jì)人（外圍預(yù)約）外圍女（電話微信156-8194-*7106）一二線城市可以真實(shí)可靠快速安排
臺積電預(yù)計其封裝技術(shù)包括 CoWoS、InFO、電計SoIC 等將取得進(jìn)步，劃年這將讓臺積電能夠在 2030 年左右構(gòu)建封裝超過 1 萬億個晶體管的實(shí)現(xiàn)大規(guī)模多芯片解決方案。 近年來由于技術(shù)和財務(wù)挑戰(zhàn)，工個晶芯片制造商們對于前沿工藝技術(shù)的封裝發(fā)展有所放緩，臺積電和其他公司面臨同樣的挑戰(zhàn)，但臺積電有信心按照自己的計劃推出 2nm、1.4nm 和 1nm 工藝節(jié)點(diǎn)。
英偉達(dá)已經(jīng)推出的 GH100 GPU 芯片集成了 800 億個晶體管，GH100 芯片也是臺積電代工的，這是市場上最復(fù)雜的單片處理器之一。 臺積電稱很快就會有更復(fù)雜的單片芯片，集成的晶體管數(shù)量將超過 1000 億個，但構(gòu)建如此大型的處理器也變得越來越復(fù)雜和成本飆升，因此不少公司選擇多芯片設(shè)計，例如 AMD 的米蘭 300X (MI300X) 和英特爾的 Ponte Vecchio 就是由 10 多個小芯片組成。 不過臺積電認(rèn)為這種趨勢也會繼續(xù)下去，而在幾年后我們將可以看到集成總數(shù)超過 1 萬億個晶體管的多芯片解決方案，與此同時，單芯片也將變得更加復(fù)雜，臺積電認(rèn)為后續(xù)可以看到最多集成 2000 億個晶體管的單芯片。 臺積電的工藝技術(shù)發(fā)展也在倒逼其客戶跟著發(fā)展，使用臺積電代工的公司也必須同步開發(fā)邏輯技術(shù)和封裝技術(shù)，這也是為什么臺積電將生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的演變和封裝技術(shù)放在一個演示文稿中的原因。 |
